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高负载芯片老化:GD 系列试验箱性能介绍

行业新闻 GD 系列试验箱470

冠亚恒温小编介绍 GD 系列试验箱在高负载芯片老化场景的性能特点。高负载芯片(大功率处理器、电源管理芯片、功率模块等)工作发热大,老化测试需设备具备强散热、高负载容量与稳定控温能力。

高负载芯片老化:GD 系列试验箱性能介绍 - GD 系列试验箱(images 1)

GD 系列标准负载配置为 24 层 10kW,可同时承载多颗高发热芯片,满足批量老化需求;负载层数与功率可根据芯片实际功耗定制,适配更高负载场景。负载支架采用导热与绝缘兼顾的材料设计,便于散热与布线,减少局部积热。

制冷与加热系统匹配高负载工况:加热功率充足,升温响应快;制冷系统根据型号采用单级或复叠制冷,在高负载发热下仍能维持设定温度,避免过热漂移。强制循环风道配大流量风机,提升换热效率,带走芯片散发的热量,保证箱内温度均匀性。

控温精度在高负载下仍保持稳定:出风口波动度≤±0.1℃,满载 10kW 时均匀度≤±3℃,减少高负载带来的温度梯度,保证不同芯片老化条件一致。分段模糊 PID 算法实时调节制冷与加热输出,动态平衡发热与散热,维持恒温或稳定的升降温速率。

高负载芯片老化:GD 系列试验箱性能介绍 - GD 系列试验箱(images 2)

高负载老化通常需长时间连续运行。GD 系列配备完善的保护机制:加热器双温保护、制冷系统高低压保护、电器过流过载保护等,异常时自动报警并停机,保障设备与样品安全。箱体结构强化,适配长时间高负载运行,减少形变与性能衰减。

GD 系列以负载容量、散热能力、控温稳定性与运行可靠性的综合性能,满足高负载芯片老化测试需求,支撑大功率半导体器件的可靠性验证。

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